最近，中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作，开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底，并提出了等离子体预处理改性石墨烯，促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略。通过DFT计算发现，等离子体预处理向石墨烯中引入的吡咯氮，可以有效促进AlN薄膜的成核生长。在较短的时间内即可获得高品质AlN薄膜，其具有低应力、较低的位错密度，深紫外LED器件表现出了良好的器件性能。该成果以ImprovedEpitaxyofAlNFilmforDeep-UltravioletLight-EmittingDiodesEnabledbyGraphene为题发表在《先进材料》上（Adv.Mater.，DOI:10.1002/adma.201807345）。半导体所研究员李晋闽、魏同波与北京大学刘忠范、研究员高鹏作为论文共同通讯作者，陈召龙与刘志强为论文共同第一作者。

　　同时，魏同波与刘忠范团队合作提出了石墨烯/NPSS纳米图形衬底外延AlN的生长模型，理论计算和实验验证了石墨烯表面金属原子迁移增强规律，石墨烯使NPSS上AlN的合并时间缩短三分之二，同时深紫外LED功率得到明显提高，使深紫外光源有望成为石墨烯产业化的一个突破口。相关成果在Appl.Phys.Lett.114,091107(2019)发表后被选为Featuredarticle，并被AIPScilight以NewAlNfilmgrowthconditionsenhanceemissionofdeepultravioletLEDs为题专门报道，也被半导体领域评论杂志CompoundSemiconductor杂志版（2019年第3期）和SemiconductorToday同时长篇报道。

　　此外，针对深紫外发光器件中p型掺杂国际技术难题，刘志强提出了缺陷共振态p型掺杂新机制，该方法基于能带调控，获得高效受主离化率的同时，维持了较高的空穴迁移率，实现了0.16Ω.cm的p型氮化镓电导率，为后续石墨烯在深紫外器件透明电极中的应用奠定基础。相关成果发表在Semicond.Sci.Technol.33,114004(2018)，并获该期刊2018年度青年科学家最佳论文奖，该成果也得到2014年诺贝尔物理学奖获得者Amano的积极评价。