安森美半导体新方案将功率扩展到100 W用于电信和数字标识等系统

   日期:2019-09-10     来源:中国自动化网    浏览:553    
核心提示:安森美半导体为推动高能效创新,在符合IEEE802.3bt标准的前提下,凭借不断增长的产品和技术阵容引领行业。以太网供电(PoE)使用新的IEEE802.3bt标准,可用于通过局域网(LAN)联接提供高达90 W的高速互联。安森美半导体的方案不仅支持新标准的功率限制,还将功率扩展到100 W用于电信和数字标识等系统。
  安森美半导体为推动高能效创新,在符合IEEE802.3bt标准的前提下,凭借不断增长的产品和技术阵容引领行业。以太网供电(PoE)使用新的IEEE802.3bt标准,可用于通过局域网(LAN)联接提供高达90 W的高速互联。安森美半导体的方案不仅支持新标准的功率限制,还将功率扩展到100 W用于电信和数字标识等系统。
 
  新的IEEE802.3btPoE标准有潜力变革物联网(IoT)所涉及的每个垂直市场,使更精密的端点可在更大的网络运行。IEEE802.3bt标准通过新的“Autoclass”特性优化能量管理,令受电设备(PD)将其特定的功率需求传递给供电设备(PSE)。这也令每个PSE仅向每个PD分配适当的功率量,从而最大化可用能量和带宽。
 
  与IEEE802.at标准(PoE+)提供的30W相比,IEEE802.3bt可提供高达90W的功率和互联到新的应用,无需专用且通常为离线的电源。PoE将简化网络拓扑,并提供更强固的“即插即用”用户体验。
 
  商业信息提供商IHSMarkit电源半导体高级分析师KevinAnderson说:“以太网供电是当今电源半导体发展最快的市场之一,预计2017年到2022年的复合平均单位增长率为14%。IEEE802.3bt中定义的更高供电能力促成新的应用,如更高功率联接的照明、联网的高分辨率监控摄像机和高性能无线接入点。”
 
  NCP1095和NCP1096接口控制器构成安森美半导体PoE-PD方案的基础,具有实施PoE接口所需的所有特性,包括检测、自动分类和限流。控制器采用一个外部(NCP1095)或内部(NCP1096)热插拔FET。NCP1096集成的热插拔FET具有Type3或Type4PoE控制器可提供的最低导通电阻。控制器配以NCP1566DC-DC控制器、FDMC8622单MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205AGreenBridge四通道MOSFET,为PoE应用中的二极管桥提供更有效的替代方案。这些器件赋能高效的PoE接口,最高可达标准的90W功率限制,若需更高的功率,可用专用的100W方案。
 
  安森美半导体工业和离线电源方案副总裁RyanCameron说:“作为一家讲究高能效的公司,我们很高兴能促进PoE充分发挥潜力。我司提供全系列符合IEEE802.3bt的方案,使这技术更容易广及所有开发工程师,有助于使更多联接的设备具有保证的互操作性。”
 
日期: 2019-09-10
标签: 安森美 安森美半导体 IEEE
 
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