瑞萨电子宣布了首款片上闪存微控制器(MCU)的批量生产

   日期:2021-03-27     来源:贤集网    浏览:161    评论:0    
核心提示:先进半导体解决方案供应商瑞萨电子公司宣布了样品采用28纳米(nm)工艺技术的首款片上闪存微控制器(MCU)的批量生产。
  先进半导体解决方案供应商瑞萨电子公司(Renesas Electronics Corporation)宣布了样品采用28纳米(nm)工艺技术的首款片上闪存微控制器(MCU)的批量生产。为了实现更高效率和更高可靠性的下一代绿色汽车和自动驾驶汽车,革命性的RH850 / E2x系列MCU集成了多达六个400兆赫兹(MHz)CPU内核,这使其成为第一个片上闪存汽车MCU实现了业界最高的9600 MIPS处理性能。新的MCU系列还具有高达16兆字节(MB)的内置闪存以及增强的安全功能和功能安全性。
 

 
  在瑞萨自动驾驶™(Renesas autonomy™)的基础上,瑞萨提供了端到端解决方案,该解决方案将车辆向下一代绿色汽车,联网汽车和自动驾驶汽车的发展推进,从而成为端到端解决方案。28nm的汽车控制MCU是一项具有突破性的新产品,具有用于实现汽车控制的下一代技术,该技术与用于云连接和传感的R-Car片上系统芯片(SoC)系列一起构成了两者瑞萨自治平台的主要支柱。汽车OEM和一级制造商(例如Denso Corporation)已经开始采用新的28nm MCU,这是因为该MCU具有卓越的处理性能,能够开发下一代节油发动机,
  
  新型RH850 / E2x MCU系列的主要功能
  
  ·出色的处理性能可实现对绿色汽车的复杂汽车控制
  
  为了开发环保型车辆,下一代节油发动机需要较高的处理性能,以允许实施新的燃油燃烧系统。另外,在电动汽车(EV)和插电式混合动力电动汽车(PHEV)中使用的电动机和逆变器中,既需要高处理性能又需要高集成度,以实现小型化和更高的效率。新开发的28纳米制程闪存MCU是世界上第一个实现多达六个400 MHz CPU内核和9600 MIPS处理能力的微控制器。与早期的40nm MCU相比,新型RH850 / E2x系列MCU在相同功率水平下的性能也达到了大约三倍。RH850 / E2x通过包含增强的传感器接口来实现精确的汽车控制功能,从而提高了汽车控制系统的集成度。瑞萨的合作伙伴公司将为新的MCU提供多核虚拟环境和基于模型的开发环境。
  
  ·具有用于联网汽车的大容量闪存的高级OTA更新对内置大容量闪存的需求日益增长,以支持无线(OTA)功能,该功能可自动和无线地更新ECU软件以控制程序以提高安全性。RH850 / E2x系列配备了高达16 MB的Flash ROM,并且为了满足用户的需求和喜好,可以在程序运行期间仅更新某些特定区域。RH850 / E2x系列还具有改进的串行接口,包括多达十个CAN FD通道和一个以太网通道。支持Evita Medium的安全功能使MCU能够支持软件的安全快速OTA更新。
  
  ·增强自动驾驶车辆的功能安全性RH850 / E2x系列针对ASIL-D,即汽车E / E系统的ISO 26262功能安全标准的最高水平,采用了双核锁步CPU结构,可确保通过以下步骤进行计算:两个CPU内核是相同的。RH850 / E2x还提供多达四组CPU对,并具有各种硬件功能安全性改进。在系统故障可能导致危及生命的事故的应用中,这些功能可在发生故障时立即检测到故障,并保持系统安全。瑞萨将提供安全分析工具,可以灵活地支持各种用例以实施安全系统。
  
  为了确保RH850 / E2x系列产品的可扩展性,除了28nm闪存MCU外,瑞萨还推出了具有上述(1)和(3)功能的40nm工艺MCU。该MCU的样品现已上市。现已提供RH850 / E2x的28nm和40nm MCU的样品。
  
  关于瑞萨电子的金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅(MONOS)嵌入式闪存技术
  
  MONOS是一种结构,其中闪存单元中的每个晶体管都由硅基上的三层氧化物,氮化物和氧化物组成,顶部是金属控制栅。瑞萨通过提供用于IC卡的MCU,已经在使用MONOS闪存技术方面积累了超过二十年的经验。基于MONOS技术的往绩,瑞萨通过开发适用于MCU内部闪存的分离门(SG)结构成功扩展了该技术。新型“ SG-MONOS”型闪存实现了具有高可靠性,高速和低功耗的MCU。
 
日期: 2021-03-27
标签: 瑞萨电子 控制 控制器 MCU 半导体 解决方案
 
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