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> "反掺杂"相关的实验室检测行业资讯 >
半导体中的反掺杂现象
电子(空穴)的普通掺杂通常意味着费米能级向导带(价带)移动并且自由载流子的电导率增加。然而最近在不同材料中都发现一种特殊的掺杂特性:电子掺杂导致最低未占据带的一部分合并到价带中,导致电导率显著降低。这种特殊的反掺杂效应存在的体系包括稀土镍氧化物SmNiO3,钴氧化物SrCoO2.5,锂离子电池材料等。近日,来自南
标签:
半导体
反掺杂
微软
费米能级
电导率
2019-04-01 09:06
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