电力MOSFET中文名字是电力场效应管，是一种结型电力场效应晶体管，具有开关快，频率高，电流容量小，耐压低等等优点，那么它的主要参数有哪些呢，小编给大家讲解一下：
（1）漏源击穿电压UDss
UDss常为结溫在25~150℃之间时漏源极的击穿电压。该参数限制了MOSFET的工作电压，常用的MOSFET的UDSS通常在1000V以下，尤其以500V及以下器件的各项性能。需要注意的是常用的MOSFET的漏源击穿电压具有正酿系数，因此在温度低于测试条件时，UDSS值会低;于产品手册数据。
（2）漏极连续电流额定值Id和漏极脉冲电流峰值IDM
这是标称电力MOSFET电流定额的参数，一般情况下:IDM是ID的2-4倍。工作温度对器件的漏极电流影响很大，产品的生产厂商通常也会给出不同壳温下，允许的漏极连续电流变化情况。在实际器件参数计算时，必须考虑其损耗及散热情况得出壳温，由此核算它的电流定额。通常在売温为80~90℃，器件可用的连续工作电流只有Tc=25℃时 额定值Id的60%~70%。
（3）漏源通态电阻RDS（ON）
该参数是在栅源间施加一定电压 (10~15V )时，漏源间的导通电阻。漏源通态电阻RDS（on）直接影响器件的通态压降及损耗，通常额定电压低、电流大的器件RDS（on）较小。此外，RDS（on）还与驱动电压及结温有关。增大驱动电压可以减小RDS（on）。RDS （on）具有正的温度系数，随着结溫的升高而增加， 这一特性使MOSFET并联运行较为容易。
（4）栅源电压UGS
由于栅源之间的SIO2绝缘层很薄，当|UGS|＞20V时将导致绝缘击穿。因此在焊接，驱动等方面必须注意。
（5）跨导Gfs
在规定的工作点下，MOSFET转移特性曲线的斜率称为该器件的跨导。即
（6）极间电容
MOSFET的3个电极之间分别存在极间电容CGS，CGD和CDS。一般生产厂商提供的是漏源极短路时的输入电容，Ciss共源极输出电容Coss和反向转移电容Crss。它们之间的关系是：
尽管电力MOSFET是用栅源间电压驱动，阻抗很高，单由于存在输入电容Ciss，开关过程中驱动电路要输入电容冲放电。这样，用作高频开关时，驱动电路必须具有很低的内阻抗及一定的驱动电流能力。
