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  • 以单层极限二维材料作为半导体沟道的鳍式场效应晶体管和鳍式场效应晶体管阵列已制备成功
    • 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心科研人员与国内外多家单位合作，制备出以单层极限二维材料作为半导体沟道的鳍式场效应晶体管，同时成功制备出鳍式场效应晶体管阵列。引入碳纳米管替代传统金属作为栅极材料，结果显示该材料比传统金属栅具有更好的包覆性，可以有效提高器件性能。该研究工作为后摩尔时代的场效应晶体管器件的发展提供了新方案。
    标签： 单层极限二维材料 二维材料 半导体 半导体沟道 鳍式场效应晶体管 晶体管 2020-03-07 09:11
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