备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级，达到100ns级，使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外，其chao低的光损耗可满足民用光网络应用要求，较高的集成度有助于大幅度减小模块尺寸，纯固态波导芯片使其具备卓越的可靠性。

 

关键特征：

100ns级高速响应、多至48通道单片集成、全固态波导芯片、超低光损耗。

 

典型应用：

通道间光功率均衡或阻塞、WDM网络光功率控制、1×1光开关、模拟信号调制（静态稳定、无需工作点反馈控制回路）。

 

主要指标（典型值）：

 

性能指标	单位	吸收型	备注
工作波长	nm	1525～1565
响应时间	ns	100-300
插入损耗	dB	1.2	光纤进到光纤出的损耗
衰减范围	dB	25
偏振相关性	dB	≤0.3	@0dB衰减时
		≤0.5	@0~25d衰减时
功耗(@18dB衰减)	mW	150	随衰减量增大而增大
电压	V	1.2
电流	mA	0-35
集成度	/	6CH/48CH