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  • 半导体中的反掺杂现象
    • 电子（空穴）的普通掺杂通常意味着费米能级向导带（价带）移动并且自由载流子的电导率增加。然而最近在不同材料中都发现一种特殊的掺杂特性：电子掺杂导致最低未占据带的一部分合并到价带中，导致电导率显著降低。这种特殊的反掺杂效应存在的体系包括稀土镍氧化物SmNiO3，钴氧化物SrCoO2.5，锂离子电池材料等。近日，来自南
    标签： 半导体 反掺杂 微软 费米能级 电导率 2019-04-01 09:06
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