英诺赛科芯片整体项目已完成65%,未来或将建成世界上第三代半导体大规模生产中心

   日期:2019-09-03     来源:贤集网    浏览:75    
核心提示:汾湖于8月29日发布最新消息,英诺赛科苏州半导体芯片项目主厂房经过14个月的建设,英诺赛科芯片项目整体工程进度已完成65%,主厂房顺利完成封顶。预计12月底生产设备正式进厂,2020年可实现规模化量产,未来或将建成世界上第三代半导体大规模生产中心。
  汾湖于8月29日发布最新消息,英诺赛科苏州半导体芯片项目主厂房经过14个月的建设,英诺赛科芯片项目整体工程进度已完成65%,主厂房顺利完成封顶。预计12月底生产设备正式进厂,2020年可实现规模化量产,未来或将建成世界上第三代半导体大规模生产中心。
  
 
  英诺赛科由海归创业团队创立,是一家从事新型第三代半导体材料、器件以及集成电路开发与制造的公司。目前,英诺赛科已在激光雷达、高密高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED灯照明驱动等方面发布产品方案,其主要产品包括氮化镓功率器件、功率模块和射频器件,具有小尺寸、高性能、低成本、高可靠性等优势。
 
  英诺赛科苏州半导体芯片项目占地面积368亩,计划在5年内完成投资60亿元,于今年6月23日开工,建成后将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
 
  此外,英诺赛科公司总经理孙在亨在封顶仪式上表示,英诺赛科苏州工厂是公司发展的重要战略布局,相信英诺赛科将会成为世界一流的第三代半导体公司,吴江会成为全世界新的先进半导体制造中心。
 
  2018年6月23日,英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉,该项目总投资60亿,占地368亩,建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台,填补我国高端半导体器件的产业空白。
 
  据介绍,英诺赛科由海归创业团队创立,专注于宽禁带半导体技术研发与产业化的高科技企业,掌握多项核心专利技术。2017年年底,英诺赛科在珠海成功建设完成了我国首条八英寸硅基氮化镓量产线,实现了历史性的突破,填补了我国在这一领域的空白。
 
  开工仪式上,吴江区副区长、汾湖高新区党工委副书记、管委会主任吴琦表示,英诺赛科苏州半导体项目的建设,将有助于相关上下游企业向吴江集聚靠拢,形成产业集群效应,将汾湖高新区打造成为一个世界级的先进半导体研发与生产中心。吴江将积极支持英诺赛科宽禁带半导体项目的建设,并为海归创业人士创造有利的政策环境,共同推进高端芯片的国产化。
 
  英诺赛科CEO孙在亨表示,目前,在氮化镓的电子电力器件及射频器件,尤其是硅基氮化镓领域,我国还未能实现国产化。该项目的落地,就是要打破这样的局面、填补我国高端半导体器件的产业空白。同时,该项目也是该领域全球首个大型量产基地,单月满产可达6-8万片,为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展和其他转型升级行业提供先进、高效、节能和低成本的核心电子元器件。
 
  相关资讯:申请第三代半导体专利迅速增加,2010年前后我国的申请量已首次超过美国
     
                         中国的半导体行业赶超美韩等国还需时间和努力
 
日期: 2019-09-03
标签: 英诺赛科 半导体芯片 半导体芯片项目 芯片
 
相关资讯
免责声明
1.本网中刊登的文章、数据的版权仅归原作者所有,原创文章由中实仪信网编辑整合,转载请注明中实仪信网出处。
2.转载其它媒体的文章,我们会尽可能注明出处,但不排除来源不明的情况。网站刊登文章是出于传递更多信息的目的,对文中陈述、观 点判断保持中立,并不意味赞同其观点或证实其描述。
3.如您对文章内容、版权或其他问题持有异议,请与中实仪信网联系。联系邮箱:office@anmiya.com 联系QQ:

推荐图文
推荐资讯
点击排行
新手指南
采购商服务
供应商服务
交易安全
关注我们
中实仪信会员交流群

0535-6611163

周一至周五 9:00-18:00
(其他时间联系在线客服)

24小时在线客服